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三美(Mitsumi)的IGBT/FRD(裸芯片)可用于各種高電壓、大電流的產(chǎn)品,利用模擬半導體器件制造過程中開發(fā)的各種技術(shù),可為提高效率和節(jié)約能源作出貢獻。
溝槽柵場截止型(trench-gate field-stop)IGBT:第一代(美蓓亞三美)
溝槽柵場截止型(trench-gate field-stop)IGBT:第二代(美蓓亞三美)
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